MosFet vs. HexFet

[Kay 0]

Angesicht der neuen Verstärkerschaltung in Elektor,

stellt sich mir die Frage, warum teure Hitachi-MosFets

verwendet werden und nicht die HexFet von IRF.

Die Datenblätter der MosFet zeigen, daß N-Channel-

und P-Channel-MosFet sehr komplementär sind, während

HexFet sich deutlich zwischen N und P unterscheiden.

Die von Elektor veröffentlichen Daten für den Crescendo Me

und dem HexFet-Amp sind bei beiden Verstärkern jenseits

von gut und böse.

Welche Relevanz hat nun die Komplementarität bei

Leistungsverstärkern?

gruß

Kay

 

 

 

 

[Ralf S 0]

Hallo Kay!

Hitachi macht mich schon kritisch, wenn ich an die Ersatzteil Versorgung denke.

Die Transen(Klassiker "SK/SJ im TO3 Geheuse)werden nicht mehr gebaut und nur für idiotisch viel Geld, wenn überhaupt verkauft.

Wie das mit den IRFs wird weis man noch nicht, sicher ist die sind billiger und können auch sehr gut klingen.

Wichtig ist nur das man keine IRFs mit kleinen TO220 Gehäuse nimmt.

Die Kontaktfläche zum Kühlkörper ist bei größeren Ruheströmen zu klein.

Achtung Die IRFs verhalten sich im Temperatur-koefizienen anders als MosFets.

Es muss eine aktive Ruhestromregelung vorhanden sein.

Am besten Testen!!!!!!!!!

Grus Ralf

 

[Kay 0]

Hast du vielleicht die HexFet-Endstufe aus Elektor 12/93 nachgebaut?

Kay

 

[Ralf S 0]

Hey!

Ja, habe sie mit HexFets und mit IGBTs gebaut.

Mit Hex.. war er bei mir gerne mal am Schwingen wenn der Ruhestrom zu gering wurde,zb. beim abschalten

Ich find eigentlich den Medium Poweramp(MPA)

von Elektor am besten(wenn die leistung reicht)

Ralf

 

[sony 0]

Hallo,

nur ganz kurz: Hex Fet sind Mos Fet. Trotzdem vergleicht Äpfel mit Birnen,

Will euch nicht mit der Basistechnologie von Mos Transistoren langweilen, es gibt Depletion- und

Enhancement Mos Fet. Abgesehen von der inneren Struktur ( lateral, vertikal )ist beim Einsatz die Spannung Up zu beachten. Im Klartext: Die Hitachi Typen werden bei einigen mV leitend während Die IRF eine Spannung von 2,5 - 4 Volt brauchen.

 

Die transistoren sind auf Grund der entsprechen Biasspannungen nicht einfach austauschbar.

Reinhard

 

[Kay 0]

>Die transistoren sind auf Grund der entsprechen Biasspannungen nicht einfach austauschbar

Völlig korrekt!

Ich bin z.Z. dabei verschiedene Verstärkerschaltungen mit Spice zusimulieren, habe aber kein Modell für die Hitachi. Außerdem würde ich gerne "billiger" bauen.

Würde gerne den HexFet-Amp aus Elektor oder den N-Channel-Amp von http://www.aussieamplifiers.com/

bauen, kann mich aber nicht entscheiden.

Gruß

Kay

 

[sony 0]

Der Hex Fet von Elektor ist doch ok. Den von Anthony habe ich nicht gebaut und nicht gehört. Mit nur N-Kanal wirds auch nicht richtig symmetrisch.

2SK135/SJ50. kosten 15DM/Stück

Hex Fet gibt es überall für 5 DM.

Entscheiden musst Du selbst. Die Hitachi sind bis auf Cgs Komplementär. Bei Hex ist das schwieriger.

Probier mal IRFP 9240 und 240. Der erste hat 0,5 Ohm Rds on, der zweite 0,18 Ohm. Ist nicht so gut.

Die Hitachi haben beide 1 Ohm. Auch nicht toll, aber eben beide gleich.

Reinhard

 

[Kay 0]

Wegen dem unterschiedlichen Rds On, finde ich den Gedanken 'nen Quasi-Symetrischen Aufbau einzusetzen, sehr interessant.

Insbesondere schreibt Holton, daß auch beliebige andere Fet's einsetzbar sind. Selbst HexFets mit Kapazitäten von 4nF sollen unproblematisch sein.

Ich dachte ein billige Version mit IRF540 und eine "stärkere" Version mit IRFP250 (2800pF, Rds On=0,085ohm) auszuprobieren, wenn ich mich für diesen Verstärker-Typ entscheide. Was mich immer wieder ärgert ist, daß Unmengen an Schaltungen aufzutreiben sind, und so die Entscheidung immer schwieriger wird.

Hast du den Elektor-HexFet aufgebaut und könntest mal ein paar worte zum Klang sagen ?

Gruß

Kay

 

 

[Kay 0]

Wie würdest du die klanglichen Unterschiede beschreiben?

Ist z.b. der Unterschied zwischen HexFet und IGBT zuhören, die Schaltung ist ja ansonsten gleich?

Kay